Infineon MOSFET, Gate-drivare, 260 mA, 8 Ben 15.4V, SOIC

RS-artikelnummer:: 226-6200
Tillv. art.nr:: IRS21531DSTRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon MOSFET, Gate-drivare, 260 mA, 8 Ben 15.4V, SOIC

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

17 045,00 kr

(exkl. moms)

21 305,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 7 500 enhet(er) från den 28 oktober 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2500 +	6,818 kr	17 045,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 226-6200
Tillv. art.nr:: IRS21531DSTRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	Gate-drivare
	Utström	260mA
	Antal ben	8
	Kapseltyp	SOIC
	Falltid	80ns
	Typ av drivsteg	MOSFET
	Antal utgångar	2
	Stigtid	220ns
	Minsta matningsspänning	10.1V
	Maximal matningsspänning	15.4V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	1.75mm
	Standarder/godkännanden	No
	Serie	IRS
	Längd	5mm
	Bredd	4mm
	Typ av fäste	Yta
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp Gate-drivare
	Utström 260mA
	Antal ben 8
	Kapseltyp SOIC
	Falltid 80ns
	Typ av drivsteg MOSFET
	Antal utgångar 2
	Stigtid 220ns
	Minsta matningsspänning 10.1V
	Maximal matningsspänning 15.4V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 1.75mm
	Standarder/godkännanden No
	Serie IRS
	Längd 5mm
	Bredd 4mm
	Typ av fäste Yta
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IRS21531DSTRPBF

Infineon IRS-serien grinddrivare, 10,1 V minsta matningsspänning, 260 mA utgångsström – IRS21531DSTRPBF

Denna grinddrivare ger tvåkanalig MOSFET-drivning för lågspänningsomkopplingstillämpningar och levererar kontrollerade grindpulser till strömtransistorer över ett blygsamt matningsområde. Den är avsedd för ytmontering och fungerar över ett brett temperaturområde som är lämpligt för krävande termiska miljöer.

Funktioner och fördelar:

• Dubbla utgångar ger oberoende MOSFET-grindstyrning och förenklad grindstyrning
• 260 mA utgångsström för måttliga behov av grindladdning
• Matningsområde på 10,1 V till 15,4 V stöder vanliga lågspänningsförsörjningar
• Snabb stigtid på 220 ns möjliggör snabb påslagningsrespons
• Falltid på 80 ns minskar övergångstiden för omkopplingen
• Klassad för 150 °C möjliggör drift vid förhöjda kopplingstemperaturer

Användningsområden

• Används för MOSFET-gatedrift med halvbrygga i effektomvandlare
• Lämplig för grindstyrning med motordrivning i kompakta enheter
• Kan användas för synkron likriktardrift i DC/DC-omvandlare
• Idealisk för grindstyrning på täta ytmonterade strömförsörjningsmoduler
• Används med lågspännings batteridrivna switchkonstruktioner

Vilket förpackningsformat ska jag planera för på mitt kretskort?

Den levereras i ett 8-stifts SOIC-paket för standarddytor för ytmontering.

Hur litet är komponentfotavtrycket för trånga layouter?

Förpackningen mäter 4 mm i bredd och 5 mm i längd för kompakt placering.

Vilket temperaturområde kan enheten tolerera under drift?

Den är specifik för drift från -55 °C upp till maximalt 150 °C.

Hur många utgångskanaler finns tillgängliga för grindsignalering?

Det finns två oberoende utgångskanaler för separata MOSFET-grindar.

Vilken monteringsmetod krävs för montering?

Enheten är avsedd för ytmonterad placering på ett kretskort.