Infineon MOSFET, MOSFET 2, 290 mA, 8 Ben 20V, DSO

Se alla Gate-drivare
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

98,00 kr

(exkl. moms)

122,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 29 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 409,80 kr98,00 kr
50 - 909,318 kr93,18 kr
100 - 2408,915 kr89,15 kr
250 - 4908,523 kr85,23 kr
500 +7,93 kr79,30 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
226-6020
Tillv. art.nr:
2ED2106S06FXUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Utström

290mA

Antal ben

8

Kapseltyp

DSO

Falltid

80ns

Typ av drivsteg

MOSFET

Stigtid

100ns

Minsta matningsspänning

20V

Antal drivare

2

Maximal matningsspänning

20V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

125°C

Serie

2ED2106S06F

Höjd

1.72mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

4.9mm

Typ av fäste

Yta

Fordonsstandard

Nej

Infineon 2ED2106S06F är en högspännings, höghastighets effekt-MOSFET- och IGBT-drivare med oberoende referensutgångskanaler för hög och låg sida. Den är baserad på SOI-teknik där det finns en utmärkt robusthet och brusimmunitet med möjlighet att bibehålla driftslogik vid negativa spänningar på upp till - 11 Von VS-stift på transientspänning. Utgångsdrivarna har ett buffertsteg med hög pulsström som är utformat för minimal korsning av drivaren.

Flytande kanal utformad för bootstrap-drift

Driftspänningar (VS-nod) upp till + 650 V

Maximal bootstrap-spänning (VB-nod) på + 675 V

Integrerad ultrasnabb bootstrap-diod med lågt motstånd

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.