Infineon AEC-Q100 FRAM 4 kB, 512 x 8 bit, 10 ns, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC

Se alla FRAM-minne

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

76,34 kr

(exkl. moms)

95,425 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Beställningar under 500,00 kr (exkl. moms) kostar 119,00 kr.
I lager
  • Dessutom levereras 4 065 enhet(er) från den 23 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +15,268 kr76,34 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
215-5779
Tillv. art.nr:
FM24C04B-GTR
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Minnesstorlek

4kB

Produkttyp

FRAM

Organisation

512 x 8 bit

Databussbredd

8bit

Maximal slumpmässig åtkomsttid

10ns

Fästetyp

Yta

Maximal klockfrekvens

1MHz

Kapseltyp

SOIC

Antal ben

8

Längd

4.97mm

Bredd

3.98 mm

Höjd

1.48mm

Standarder/godkännanden

No

Maximal arbetstemperatur

85°C

Antal ord

512

Antal bitar per ord

8

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Minsta matningsspänning

4.5V

Maximal matningsspänning

5.5V

Fordonsstandard

AEC-Q100

The Cypress Semiconductor FM24C04B is a 4-Kbit non-volatile memory employing an advanced ferroelectric process. A ferroelectric random access memory or F-RAM is non-volatile and performs reads and writes similar to a RAM. It provides reliable data retention for 151 years while eliminating the complexities, overhead, and system-level reliability problems caused by EEPROM and other non-volatile memories.

4-Kbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically organized as 512 x 8

High-endurance 100 trillion (1014) read/writes

151-year data retention

NoDelay™ writes

Advanced high-reliability ferroelectric process

Relaterade länkar