Infineon AEC-Q100 FRAM 4 kB, 512 x 8 bit, 10 ns, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 215-5779
- Tillv. art.nr:
- FM24C04B-GTR
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
76,34 kr
(exkl. moms)
95,425 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 035 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 + | 15,268 kr | 76,34 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-5779
- Tillv. art.nr:
- FM24C04B-GTR
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Minnesstorlek | 4kB | |
| Produkttyp | FRAM | |
| Databussbredd | 8bit | |
| Maximal slumpmässig åtkomsttid | 10ns | |
| Maximal klockfrekvens | 1MHz | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Antal ben | 8 | |
| Längd | 4.97mm | |
| Höjd | 1.48mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Maximal arbetstemperatur | 85°C | |
| Antal bitar per ord | 8 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100 | |
| Antal ord | 512 | |
| Maximal matningsspänning | 5.5V | |
| Minsta matningsspänning | 4.5V | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Minnesstorlek 4kB | ||
Produkttyp FRAM | ||
Databussbredd 8bit | ||
Maximal slumpmässig åtkomsttid 10ns | ||
Maximal klockfrekvens 1MHz | ||
Typ av fäste Yta | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Antal ben 8 | ||
Längd 4.97mm | ||
Höjd 1.48mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Maximal arbetstemperatur 85°C | ||
Antal bitar per ord 8 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Fordonsstandard AEC-Q100 | ||
Antal ord 512 | ||
Maximal matningsspänning 5.5V | ||
Minsta matningsspänning 4.5V | ||
The Cypress Semiconductor FM24C04B is a 4-Kbit non-volatile memory employing an advanced ferroelectric process. A ferroelectric random access memory or F-RAM is non-volatile and performs reads and writes similar to a RAM. It provides reliable data retention for 151 years while eliminating the complexities, overhead, and system-level reliability problems caused by EEPROM and other non-volatile memories.
4-Kbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically organized as 512 x 8
High-endurance 100 trillion (1014) read/writes
151-year data retention
NoDelay™ writes
Advanced high-reliability ferroelectric process
Relaterade länkar
- Infineon AEC-Q100 FRAM 4 kB, 512 x 8 bit, 10 ns, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100, Serial-I2C FRAM 512 kB, 64K x 8, 125 °C, 80 °C, 8 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100, Serie-SPI FRAM 512 kB, 64K x 8, 125 °C, 80 °C, 8 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100 FRAM 512 kB, 64k x 8 Bit, 450 ns, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100 FRAM 64 kB, 8K x 8 bit, 550 ns, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100 FRAM 4 kB, 512M x 8 Bit, 550 ns, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100, SPI FRAM 4 kB, 512 x 8 bit, 20 ns, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100, SPI FRAM 512 kB, 64k x 8 Bit, 18 ns, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC