Infineon AEC-Q100 FRAM 512 kB, 64k x 8 Bit, 450 ns, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 188-5404
- Tillv. art.nr:
- FM24V05-G
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rör med 97 enheter)*
11 239,196 kr
(exkl. moms)
14 048,995 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 388 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 97 - 97 | 115,868 kr | 11 239,20 kr |
| 194 - 194 | 110,579 kr | 10 726,16 kr |
| 291 - 485 | 107,743 kr | 10 451,07 kr |
| 582 + | 105,05 kr | 10 189,85 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 188-5404
- Tillv. art.nr:
- FM24V05-G
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | FRAM | |
| Minnesstorlek | 512kB | |
| Databussbredd | 8bit | |
| Maximal slumpmässig åtkomsttid | 450ns | |
| Maximal klockfrekvens | 3.4MHz | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Antal ben | 8 | |
| Höjd | 1.38mm | |
| Längd | 4.97mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Maximal arbetstemperatur | 85°C | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100 | |
| Antal ord | 64K | |
| Minsta matningsspänning | 2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Antal bitar per ord | 8 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp FRAM | ||
Minnesstorlek 512kB | ||
Databussbredd 8bit | ||
Maximal slumpmässig åtkomsttid 450ns | ||
Maximal klockfrekvens 3.4MHz | ||
Typ av fäste Yta | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Antal ben 8 | ||
Höjd 1.38mm | ||
Längd 4.97mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Maximal arbetstemperatur 85°C | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
Fordonsstandard AEC-Q100 | ||
Antal ord 64K | ||
Minsta matningsspänning 2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Antal bitar per ord 8 | ||
- COO (ursprungsland):
- US
FRAM, Cypress-halvledare
Ferroelektriskt minne med slumpmässig åtkomst (F-RAM) är energieffektivt och har den högsta tillförlitligheten bland icke-flyktiga RAM-minnen för både seriella och parallella gränssnitt. Delar med suffix A är utformade för fordonstillämpningar och är AEC-Q100-kvalificerade.
Icke-flyktigt ferroelektriskt RAM-minne
Snabb skrivhastighet
Hög uthållighet
Låg strömförbrukning
FRAM (ferroelektriskt RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) är ett icke-flyktigt minne som använder ferroelektrisk film som kondensator för lagring av data. F-RAM har egenskaper för både ROM- och RAM-enheter och har höghastighetsåtkomst, hög uthållighet i skrivläge, låg strömförbrukning, icke-flyktighet och utmärkt sabotagebeständighet. Det är därför ett perfekt minne för användning i smartkort som behöver hög säkerhet och låg strömförbrukning, samt mobiltelefoner och andra enheter.
Relaterade länkar
- Infineon AEC-Q100 FRAM 512 kB, 64k x 8 Bit, 450 ns, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100, Serial-I2C FRAM 512 kB, 64K x 8, 125 °C, 80 °C, 8 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100, SPI FRAM 512 kB, 64k x 8 Bit, 18 ns, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100, Serie-SPI FRAM 512 kB, 64K x 8, 125 °C, 80 °C, 8 Ben, SOIC
- Infineon AEC-Q100 FRAM 4 kB, 512 x 8 bit, 10 ns, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC
- Infineon, Serial-I2C FRAM 4 kB, 512 x 8 bit, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC-8
- Infineon AEC-Q100, SPI FRAM 4 kB, 512 x 8 bit, 20 ns, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC
- Infineon, Serie-SPI FRAM 4 kB, 512 x 8 bit, 85 °C, 40 °C, 8 Ben, SOIC