Infineon AEC-Q100, Serie-SPI FRAM 512 kB, 64k x 8, 125 °C, 80 °C, 8 Ben, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 273-5328
- Tillv. art.nr:
- FM25V05-GTR
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
289 982,50 kr
(exkl. moms)
362 477,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 08 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 115,993 kr | 289 982,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-5328
- Tillv. art.nr:
- FM25V05-GTR
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Minnesstorlek | 512kB | |
| Produkttyp | FRAM | |
| Organisation | 64k x 8 | |
| Gränssnittstyp | Serie-SPI | |
| Databussbredd | 8bit | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Antal ben | 8 | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Minsta matningsspänning | 3V | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100 | |
| Minsta arbetsstemperatur | 80°C | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Minnesstorlek 512kB | ||
Produkttyp FRAM | ||
Organisation 64k x 8 | ||
Gränssnittstyp Serie-SPI | ||
Databussbredd 8bit | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Antal ben 8 | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Minsta matningsspänning 3V | ||
Fordonsstandard AEC-Q100 | ||
Minsta arbetsstemperatur 80°C | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
The Infineon FRAM Memory is a 512 Kbit non volatile memory employing an advanced ferroelectric process. A ferroelectric random access memory or FRAM is non volatile and performs reads and writes similar to a RAM. It provides reliable data retention for 151 years while eliminating the complexities, overhead, and system level reliability problems caused by serial flash, EEPROM, and other non volatile memories.
RoHS compliant
Low voltage operation
Low power consumption
Very fast serial peripheral interface
Sophisticated write protection scheme