Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Minnesstorlek	4kB
	Produkttyp	FRAM
	Databussbredd	8bit
	Maximal slumpmässig åtkomsttid	550ns
	Typ av fäste	Yta
	Maximal klockfrekvens	1MHz
	Kapseltyp	SOIC
	Antal ben	8
	Längd	4.97mm
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	1.38mm
	Maximal arbetstemperatur	85°C
	Antal ord	512M
	Maximal matningsspänning	3.65V
	Fordonsstandard	AEC-Q100
	Minsta arbetsstemperatur	-40°C
	Antal bitar per ord	8
	Minsta matningsspänning	2.7V

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Minnesstorlek 4kB
	Produkttyp FRAM
	Databussbredd 8bit
	Maximal slumpmässig åtkomsttid 550ns
	Typ av fäste Yta
	Maximal klockfrekvens 1MHz
	Kapseltyp SOIC
	Antal ben 8
	Längd 4.97mm
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 1.38mm
	Maximal arbetstemperatur 85°C
	Antal ord 512M
	Maximal matningsspänning 3.65V
	Fordonsstandard AEC-Q100
	Minsta arbetsstemperatur -40°C
	Antal bitar per ord 8
	Minsta matningsspänning 2.7V

4-Kbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically organized as 512 x 8

High-endurance 100 trillion (1014) read/writes

151-year data retention

NoDelay™ writes

Advanced high-reliability ferroelectric process

Fast 2-wire Serial interface (I2C)

Up to 1-MHz frequency

Direct hardware replacement for serial (I2C) EEPROM

Supports legacy timings for 100 kHz and 400 kHz

Low power consumption

100 A active current at 100 kHz

3 A (typ) standby current

Voltage operation: VDD = 2.7 V to 3.65 V

Industrial temperature: –40 C to +85 C

8-pin small outline integrated circuit (SOIC) package

Infineon AEC-Q100 FRAM 4 kB, 512M x 8 Bit, 550 ns, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC

Relaterade länkar