Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	FRAM
	Minnesstorlek	4kB
	Organisation	512M x 8 bitar
	Databussbredd	8bit
	Maximal slumpmässig åtkomsttid	550ns
	Typ av fäste	Yta
	Maximal klockfrekvens	1MHz
	Kapseltyp	SOIC
	Antal ben	8
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	4.97mm
	Bredd	3.98mm
	Höjd	1.38mm
	Maximal arbetstemperatur	85°C
	Minsta arbetsstemperatur	-40°C
	Maximal matningsspänning	3.65V
	Fordonsstandard	AEC-Q100
	Antal ord	512M
	Minsta matningsspänning	2.7V
	Antal bitar per ord	8

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp FRAM
	Minnesstorlek 4kB
	Organisation 512M x 8 bitar
	Databussbredd 8bit
	Maximal slumpmässig åtkomsttid 550ns
	Typ av fäste Yta
	Maximal klockfrekvens 1MHz
	Kapseltyp SOIC
	Antal ben 8
	Standarder/godkännanden No
	Längd 4.97mm
	Bredd 3.98mm
	Höjd 1.38mm
	Maximal arbetstemperatur 85°C
	Minsta arbetsstemperatur -40°C
	Maximal matningsspänning 3.65V
	Fordonsstandard AEC-Q100
	Antal ord 512M
	Minsta matningsspänning 2.7V
	Antal bitar per ord 8

4-kbit ferroelektriskt minne med slumpmässig åtkomst (F-RAM) logiskt organiserat som 512 x 8

Hög uthållighet 100 biljoner (1014) läser/skriver

151 års datalagring

NoDelayTM skriver

Avancerad ferroelektrisk process med hög tillförlitlighet

Snabbt 2-tråds seriellt gränssnitt (I2C)

Frekvens upp till 1 MHz

Direkt ersättning för maskinvara för seriell (I2C) EEPROM

Stöder äldre timing för 100 kHz och 400 kHz

Låg strömförbrukning

100 μA aktiv ström vid 100 kHz

3 μA (typ) standby-ström

Spänningsdrift: VDD = 2,7 V till 3,65 V

Industriell temperatur: –40 °C till +85 °C

8-stifts paket med små integrerade kretsar (SOIC)

Infineon AEC-Q100 FRAM 4 kB, 512M x 8 bitar, 550 ns, 85 °C, -40 °C, 8 Ben, SOIC

Relaterade länkar