Microchip Parallell 256 kB Parallell EEPROM, 120 ns, Yta 32 Ben PLCC

Mängdrabatt möjlig

Antal 25 enheter (levereras i ett rör)*

2 895,25 kr

(exkl. moms)

3 619,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 60 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
25 - 99115,81 kr
100 +111,78 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
177-1707P
Tillv. art.nr:
AT28HC256-12JU
Tillverkare / varumärke:
Microchip
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Microchip

Produkttyp

Parallell EEPROM

Minnesstorlek

256kB

Gränssnittstyp

Parallell

Kapseltyp

PLCC

Typ av fäste

Yta

Antal ben

32

Maximal klockfrekvens

5MHz

Minsta matningsspänning

4.5V

Maximal matningsspänning

5.5V

Antal bitar per ord

8

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

85°C

Serie

AT28HC256

Standarder/godkännanden

No

Höjd

3.5mm

Längd

12.5mm

Maximal slumpmässig åtkomsttid

120ns

Matningsström

80mA

Antal ord

32768

Fordonsstandard

Nej

Datalagring

10year

COO (ursprungsland):
TW
The Microchip AT28HC256 is a high-performance 256Kbit Parallel EEPROM available in both Industrial and Military temp ranges, offering access times to 70ns with power dissipation of 440mW. Deselected, CMOS standby current is less than 5mA. Accessed like static RAM for the read or write cycle without external components, it contains a 64-byte page register to allow writing of up to 64 bytes simultaneously. Features an internal Error Correction Circuit for extended endurance and improved data retention, in Military version. Optional Software Data Protection mechanism guards against inadvertent writes, and an extra 64 bytes of EEPROM enables device identification or tracking.

Additional Features:

32 Kbits x 8 (256 Kbit)

5V ± 10% Supply

Parallel Interface

150ns access time

self-Timed Erase and Write Cycles (10 ms max)

Page Write and Byte Write

Data Polling for end of write detection

Low Power Consumption:

Read / Write current 40 mA (Max)

Standby current TTL 2 mA (Max), CMOS 200 μA (Max)

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.