Microchip Parallell 64 kB Parallell EEPROM, 120 ns, Yta 32 Ben PLCC

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

119,06 kr

(exkl. moms)

148,82 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Beställningar under 500,00 kr (exkl. moms) kostar 119,00 kr.
I lager
  • 96 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 859,53 kr119,06 kr
10 - 2257,85 kr115,70 kr
24 - 9856,505 kr113,01 kr
100 +55,16 kr110,32 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
177-1655
Tillv. art.nr:
AT28HC64BF-12JU
Tillverkare / varumärke:
Microchip
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Microchip

Produkttyp

Parallell EEPROM

Minnesstorlek

64kB

Gränssnittstyp

Parallell

Kapseltyp

PLCC

Fästetyp

Yta

Antal ben

32

Maximal klockfrekvens

5MHz

Organisation

8K x 8 bit

Minsta matningsspänning

4.5V

Maximal matningsspänning

5.5V

Antal bitar per ord

8

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

85°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

12.5mm

Höjd

3.5mm

Bredd

10.3 mm

Serie

AT28HC64BF

Antal ord

8192

Fordonsstandard

Nej

Matningsström

40mA

Maximal slumpmässig åtkomsttid

120ns

Datalagring

10year

COO (ursprungsland):
TH
The Microchip AT28HC64BF is a high-performance 64Kbit Parallel EEPROM offering access times to 55ns with power dissipation of 220mW. Deselected, CMOS standby current is less than 100μA. Accessed like static RAM for the read or write cycle without external components, it contains a 64-byte page register to allow writing of up to 64 bytes simultaneously. Optional Software Data Protection mechanism guards against inadvertent writes, and an extra 64 bytes of EEPROM enables device identification or tracking.

Additional Features:

8 Kbits x 8 (64 Kbit)

5 V ±10% Supply

Parallel Interface

70ns access time Self-Timed Erase and Write Cycles

Page Write and Byte Write

Data Polling for end of write detection

2 ms Maximum Option

Low Power Consumption:

Read / Write current 40 mA (Max)

Standby current TTL 2 mA (Max), CMOS 100 μA (Max)

Write-Protection

Hardware Protection

Software Data Protect

More than 100,000 erase/write cycles

Data retention > 10 years

Relaterade länkar