Microchip Parallell 64 kB Parallell EEPROM, 120 ns, Yta 28 Ben SOIC

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

132,83 kr

(exkl. moms)

166,038 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Beställningar under 500,00 kr (exkl. moms) kostar 119,00 kr.
I lager
  • 48 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 866,415 kr132,83 kr
10 - 2264,455 kr128,91 kr
24 - 9862,83 kr125,66 kr
100 +61,77 kr123,54 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
177-1673
Tillv. art.nr:
AT28HC64BF-12SU
Tillverkare / varumärke:
Microchip
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Microchip

Minnesstorlek

64kB

Produkttyp

Parallell EEPROM

Gränssnittstyp

Parallell

Kapseltyp

SOIC

Fästetyp

Yta

Antal ben

28

Maximal klockfrekvens

5MHz

Organisation

8K x 8 bit

Minsta matningsspänning

4.5V

Maximal matningsspänning

5.5V

Antal bitar per ord

8

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

85°C

Standarder/godkännanden

No

Serie

AT28HC64BF

Höjd

2.8mm

Bredd

10.3 mm

Längd

17.9mm

Matningsström

40mA

Datalagring

10year

Fordonsstandard

Nej

Antal ord

8192

Maximal slumpmässig åtkomsttid

120ns

COO (ursprungsland):
TW
The Microchip AT28HC64BF is a high-performance 64Kbit Parallel EEPROM offering access times to 55ns with power dissipation of 220mW. Deselected, CMOS standby current is less than 100μA. Accessed like static RAM for the read or write cycle without external components, it contains a 64-byte page register to allow writing of up to 64 bytes simultaneously. Optional Software Data Protection mechanism guards against inadvertent writes, and an extra 64 bytes of EEPROM enables device identification or tracking.

Additional Features:

8 Kbits x 8 (64 Kbit)

5 V ±10% Supply

Parallel Interface

70ns access time Self-Timed Erase and Write Cycles

Page Write and Byte Write

Data Polling for end of write detection

2 ms Maximum Option

Low Power Consumption:

Read / Write current 40 mA (Max)

Standby current TTL 2 mA (Max), CMOS 100 μA (Max)

Write-Protection

Hardware Protection

Software Data Protect

More than 100,000 erase/write cycles

Data retention > 10 years

Relaterade länkar

Recently viewed