Infineon SRAM, 1 MB, TSOP II 44 Ben
- RS-artikelnummer:
- 273-7331
- Tillv. art.nr:
- CY62126EV30LL-45ZSXI
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
31,14 kr
(exkl. moms)
38,92 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 76 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 15,57 kr | 31,14 kr |
| 10 - 18 | 15,175 kr | 30,35 kr |
| 20 - 48 | 14,785 kr | 29,57 kr |
| 50 - 98 | 14,39 kr | 28,78 kr |
| 100 + | 14,00 kr | 28,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-7331
- Tillv. art.nr:
- CY62126EV30LL-45ZSXI
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Minnesstorlek | 1MB | |
| Produkttyp | SRAM | |
| Organisation | 64 K x 16 | |
| Antal ord | 64K | |
| Antal bitar per ord | 16 | |
| Minsta matningsspänning | 0.3V | |
| Fästetyp | Yta | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Kapseltyp | TSOP II | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 85°C | |
| Antal ben | 44 | |
| Serie | CY62126EV30 | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 10.26mm | |
| Längd | 18.51mm | |
| Bredd | 1.19 mm | |
| Matningsström | 35mA | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Minnesstorlek 1MB | ||
Produkttyp SRAM | ||
Organisation 64 K x 16 | ||
Antal ord 64K | ||
Antal bitar per ord 16 | ||
Minsta matningsspänning 0.3V | ||
Fästetyp Yta | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
Kapseltyp TSOP II | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 85°C | ||
Antal ben 44 | ||
Serie CY62126EV30 | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 10.26mm | ||
Längd 18.51mm | ||
Bredd 1.19 mm | ||
Matningsström 35mA | ||
The Infineon Static RAM is a high performance CMOS static RAM organized as 64K words by 16 bits. This device features advanced circuit design to provide ultra low active current. This is ideal for providing more battery life in portable applications such as cellular telephones. The device also has an automatic power down feature that significantly reduces power consumption when addresses are not toggling. Placing the device in standby mode reduces power consumption by more than 99 percent when deselected.
High speed
Ultra low active power
Easy memory expansion
CMOS for optimum speed and power
Automatic power down when deselected