Infineon SRAM, 4 MB, TSOP II 32 Ben
- RS-artikelnummer:
- 273-7343
- Tillv. art.nr:
- CY62148EV30LL-45ZSXI
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
57,68 kr
(exkl. moms)
72,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 94 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 57,68 kr |
| 10 - 24 | 51,52 kr |
| 25 - 49 | 50,51 kr |
| 50 - 74 | 49,50 kr |
| 75 + | 48,61 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-7343
- Tillv. art.nr:
- CY62148EV30LL-45ZSXI
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | SRAM | |
| Minnesstorlek | 4MB | |
| Organisation | 512k x 8 | |
| Antal ord | 512K | |
| Antal bitar per ord | 8 | |
| Minsta matningsspänning | 0.3V | |
| Fästetyp | Yta | |
| Maximal matningsspänning | 0.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Kapseltyp | TSOP II | |
| Antal ben | 32 | |
| Maximal arbetstemperatur | 85°C | |
| Serie | CY62148EV30 | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 11.96mm | |
| Längd | 20.82mm | |
| Bredd | 1.2 mm | |
| Matningsström | 20mA | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp SRAM | ||
Minnesstorlek 4MB | ||
Organisation 512k x 8 | ||
Antal ord 512K | ||
Antal bitar per ord 8 | ||
Minsta matningsspänning 0.3V | ||
Fästetyp Yta | ||
Maximal matningsspänning 0.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Kapseltyp TSOP II | ||
Antal ben 32 | ||
Maximal arbetstemperatur 85°C | ||
Serie CY62148EV30 | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 11.96mm | ||
Längd 20.82mm | ||
Bredd 1.2 mm | ||
Matningsström 20mA | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon Static RAM is a high performance CMOS static RAM organized as 512K words by 8 bits. This device features advanced circuit design to provide ultra low active current. This ideal for providing more battery life in portable applications such as cellular telephones. The device also has an automatic power down feature that significantly reduces power consumption. The device can also be put into standby mode reducing power consumption by more than 99 percent when deselected.
Very high speed
Ultra low standby power
Easy memory expansion
CMOS for optimum speed and power
Automatic power down when deselected