Infineon SRAM, 4 MB, TSOP II 44 Ben
- RS-artikelnummer:
- 273-7338
- Tillv. art.nr:
- CY62147EV30LL-45ZSXI
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 fack med 135 enheter)*
3 794,175 kr
(exkl. moms)
4 742,685 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 215 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per fack* |
|---|---|---|
| 135 - 135 | 28,105 kr | 3 794,18 kr |
| 270 + | 27,355 kr | 3 692,93 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-7338
- Tillv. art.nr:
- CY62147EV30LL-45ZSXI
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Minnesstorlek | 4MB | |
| Produkttyp | SRAM | |
| Organisation | 256k x 16 | |
| Antal ord | 256K | |
| Antal bitar per ord | 16 | |
| Minsta matningsspänning | 0.3V | |
| Maximal matningsspänning | 3.9V | |
| Fästetyp | Yta | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Kapseltyp | TSOP II | |
| Maximal arbetstemperatur | 85°C | |
| Antal ben | 44 | |
| Serie | CY62147EV30 | |
| Längd | 18.51mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 1.19 mm | |
| Höjd | 10.26mm | |
| Matningsström | 20mA | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Minnesstorlek 4MB | ||
Produkttyp SRAM | ||
Organisation 256k x 16 | ||
Antal ord 256K | ||
Antal bitar per ord 16 | ||
Minsta matningsspänning 0.3V | ||
Maximal matningsspänning 3.9V | ||
Fästetyp Yta | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Kapseltyp TSOP II | ||
Maximal arbetstemperatur 85°C | ||
Antal ben 44 | ||
Serie CY62147EV30 | ||
Längd 18.51mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 1.19 mm | ||
Höjd 10.26mm | ||
Matningsström 20mA | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon Static RAM is a high performance CMOS static RAM organized as 256K words by 16 bits. This device features advanced circuit design to provide ultra low active current. Ultra low active current is ideal for providing more battery life in portable applications such as cellular telephones. The device also has an automatic power down feature that significantly reduces power consumption when addresses are not toggling. The device can also be put into standby mode reducing power consumption by more than 99 percent when deselected.
Very high speed
Ultra low active power
Easy memory expansion
Byte power down feature
CMOS for optimum speed and power
Automatic power down when deselected