Intelligent Memory AEC-Q100, SDRAM, 256 MB, Yta 16 bit, 85 °C, -40 °C, 54 Ben, FBGA
- RS-artikelnummer:
- 588-660
- Tillv. art.nr:
- IM2516SDBATG-6I
- Tillverkare / varumärke:
- Intelligent Memory
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
79,74 kr
(exkl. moms)
99,68 kr
(inkl. moms)
Lägg till 14 enheter för att få fri frakt
Tillfälligt slut
- 16 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 + | 39,87 kr | 79,74 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 588-660
- Tillv. art.nr:
- IM2516SDBATG-6I
- Tillverkare / varumärke:
- Intelligent Memory
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Intelligent Memory | |
| Minnesstorlek | 256MB | |
| Produkttyp | SDRAM | |
| Organisation | 16M x 16 | |
| Databussbredd | 16bit | |
| Maximal klockfrekvens | 166MHz | |
| Antal bitar per ord | 16 | |
| Maximal slumpmässig åtkomsttid | 6ns | |
| Antal ord | 16M | |
| Fästetyp | Yta | |
| Kapseltyp | FBGA | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Antal ben | 54 | |
| Maximal arbetstemperatur | 85°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Serie | IM2516SDBAT | |
| Minsta matningsspänning | 3V | |
| Matningsström | 85mA | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100 | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Intelligent Memory | ||
Minnesstorlek 256MB | ||
Produkttyp SDRAM | ||
Organisation 16M x 16 | ||
Databussbredd 16bit | ||
Maximal klockfrekvens 166MHz | ||
Antal bitar per ord 16 | ||
Maximal slumpmässig åtkomsttid 6ns | ||
Antal ord 16M | ||
Fästetyp Yta | ||
Kapseltyp FBGA | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Antal ben 54 | ||
Maximal arbetstemperatur 85°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Serie IM2516SDBAT | ||
Minsta matningsspänning 3V | ||
Matningsström 85mA | ||
Fordonsstandard AEC-Q100 | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
- COO (ursprungsland):
- TW
The Intelligent Memory Four bank Synchronous DRAM is organized as 4 banks x 4Mbit x 16. It achieves high-speed data transfer rates up to 166 MHz by employing a chip architecture that prefetches multiple bits and synchronizes the output data to the system clock, ensuring efficient and reliable performance.
Power down mode
Auto refresh and self refresh
Automatic and controlled precharge command
Relaterade länkar
- Intelligent Memory 256 MB 85 °C 54 Ben, FBGA
- Intelligent Memory AEC-Q100 256 MB 85 °C 90 Ben, FBGA
- Intelligent Memory AEC-Q100 klass 1 256 MB 85 °C 90 Ben, FBGA
- Intelligent Memory 64 MB 85 °C 54 Ben, FBGA
- Intelligent Memory AEC-Q100 256 MB 85 °C 54 Ben, FBGA
- Intelligent Memory AEC-Q100 512 MB 85 °C 54 Ben, FBGA
- Intelligent Memory AEC-Q100 128 MB 85 °C 54 Ben, FBGA
- Intelligent Memory AEC-Q100 64 MB 85 °C 90 Ben, FBGA