Intelligent Memory AEC-Q100, SDRAM, 256 MB, Yta 16 bit, 85 °C, -40 °C, 54 Ben, FBGA
- RS-artikelnummer:
- 588-659
- Tillv. art.nr:
- IM2508SDBBTG-6
- Tillverkare / varumärke:
- Intelligent Memory
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
56,67 kr
(exkl. moms)
70,838 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 20 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 + | 28,335 kr | 56,67 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 588-659
- Tillv. art.nr:
- IM2508SDBBTG-6
- Tillverkare / varumärke:
- Intelligent Memory
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Intelligent Memory | |
| Produkttyp | SDRAM | |
| Minnesstorlek | 256MB | |
| Databussbredd | 16bit | |
| Adressbussbredd | 13bit | |
| Antal bitar per ord | 8 | |
| Maximal klockfrekvens | 166MHz | |
| Maximal slumpmässig åtkomsttid | 5ns | |
| Antal ord | 33554432 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Kapseltyp | FBGA | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Antal ben | 54 | |
| Maximal arbetstemperatur | 85°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Serie | IM2508SDBBT | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100 | |
| Matningsström | 110mA | |
| Minsta matningsspänning | 3V | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Intelligent Memory | ||
Produkttyp SDRAM | ||
Minnesstorlek 256MB | ||
Databussbredd 16bit | ||
Adressbussbredd 13bit | ||
Antal bitar per ord 8 | ||
Maximal klockfrekvens 166MHz | ||
Maximal slumpmässig åtkomsttid 5ns | ||
Antal ord 33554432 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Kapseltyp FBGA | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Antal ben 54 | ||
Maximal arbetstemperatur 85°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Serie IM2508SDBBT | ||
Fordonsstandard AEC-Q100 | ||
Matningsström 110mA | ||
Minsta matningsspänning 3V | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
- COO (ursprungsland):
- TW
The Intelligent Memory Four bank Synchronous DRAM is organized as 4 banks x 8Mbit x 8. It achieves high-speed data transfer rates up to 166 MHz by employing a chip architecture that prefetches multiple bits and synchronizes the output data to the system clock, ensuring efficient and reliable performance.
Power down mode
Auto refresh and self refresh
Automatic and controlled precharge command
Relaterade länkar
- Intelligent Memory 256 MB 85 °C 54 Ben, FBGA
- Intelligent Memory AEC-Q100 256 MB 85 °C 54 Ben, FBGA
- Intelligent Memory 64 MB 85 °C 54 Ben, FBGA
- Intelligent Memory AEC-Q100 256 MB 85 °C 90 Ben, FBGA
- Intelligent Memory AEC-Q100 128 MB 85 °C 54 Ben, FBGA
- Intelligent Memory AEC-Q100 512 MB 85 °C 54 Ben, FBGA
- Intelligent Memory AEC-Q100 klass 1 256 MB 85 °C 90 Ben, FBGA
- Alliance Memory 64 MB 70 °C 54 Ben, FBGA
