Intelligent Memory AEC-Q100, SDRAM, 256 MB, Yta 16 bit, 85 °C, -40 °C, 90 Ben, FBGA
- RS-artikelnummer:
- 588-607
- Tillv. art.nr:
- IME5132SDBETG-6I
- Tillverkare / varumärke:
- Intelligent Memory
Antal (1 enhet)*
296,13 kr
(exkl. moms)
370,16 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 20 enhet(er) från den 06 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 296,13 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 588-607
- Tillv. art.nr:
- IME5132SDBETG-6I
- Tillverkare / varumärke:
- Intelligent Memory
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Intelligent Memory | |
| Minnesstorlek | 256MB | |
| Produkttyp | SDRAM | |
| Databussbredd | 16bit | |
| Antal bitar per ord | 32 | |
| Maximal klockfrekvens | 166MHz | |
| Maximal slumpmässig åtkomsttid | 6ns | |
| Antal ord | 16 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Kapseltyp | FBGA | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Antal ben | 90 | |
| Maximal arbetstemperatur | 85°C | |
| Serie | IME5132SDBE | |
| Bredd | 8mm | |
| Längd | 13mm | |
| Höjd | 1.2mm | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC, RoHS | |
| Matningsström | 110mA | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100 | |
| Minsta matningsspänning | 3V | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Intelligent Memory | ||
Minnesstorlek 256MB | ||
Produkttyp SDRAM | ||
Databussbredd 16bit | ||
Antal bitar per ord 32 | ||
Maximal klockfrekvens 166MHz | ||
Maximal slumpmässig åtkomsttid 6ns | ||
Antal ord 16 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Kapseltyp FBGA | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Antal ben 90 | ||
Maximal arbetstemperatur 85°C | ||
Serie IME5132SDBE | ||
Bredd 8mm | ||
Längd 13mm | ||
Höjd 1.2mm | ||
Standarder/godkännanden JEDEC, RoHS | ||
Matningsström 110mA | ||
Fordonsstandard AEC-Q100 | ||
Minsta matningsspänning 3V | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
- COO (ursprungsland):
- TW
Intelligent Memory Four bank Synchronous DRAM är organiserat som 4 banker x 4 Mbit x 32. Den uppnår höghastighets dataöverföringshastigheter på upp till 166 MHz genom att använda en chiparkitektur som förfångar flera bitar och synkroniserar utgångsdata till systemklockan, vilket säkerställer effektiv och tillförlitlig prestanda.
Avstängningsläge
Automatisk uppdatering och självuppdatering
Automatiskt och kontrollerat förladdningskommando
Relaterade länkar
- Intelligent Memory, SDRAM, 256 MB, Yta 16 bit, 85 °C, -40 °C, 54 Ben, FBGA
- Intelligent Memory AEC-Q100, SDRAM, 256 MB, Yta 16 bit, 85 °C, -40 °C, 54 Ben, FBGA
- Intelligent Memory AEC-Q100 klass 1, SDRAM, 256 MB, Yta 16 bit, 85 °C, -40 °C, 90 Ben, FBGA
- Intelligent Memory, SDRAM, 64 MB, Yta 16 bit, 85 °C, -40 °C, 54 Ben, FBGA
- Intelligent Memory AEC-Q100, SDRAM, 64 MB, Yta 16 bit, 85 °C, -40 °C, 90 Ben, FBGA
- Intelligent Memory AEC-Q100, SDRAM, 128 MB, Yta 16 bit, 85 °C, -40 °C, 54 Ben, FBGA
- Intelligent Memory AEC-Q100, SDRAM, 512 MB, Yta 16 bit, 85 °C, -40 °C, 54 Ben, FBGA
- Alliance Memory, SDRAM, 512 MB, Yta 16 bit, 95 °C, -40 °C, 96 Ben, FBGA