Intelligent Memory AEC-Q100, SDRAM, 128 MB, Yta 16 bit, 85 °C, -40 °C, 54 Ben, FBGA
- RS-artikelnummer:
- 588-653
- Tillv. art.nr:
- IM1216SDBABG-6I
- Tillverkare / varumärke:
- Intelligent Memory
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
74,48 kr
(exkl. moms)
93,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 10 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 + | 37,24 kr | 74,48 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 588-653
- Tillv. art.nr:
- IM1216SDBABG-6I
- Tillverkare / varumärke:
- Intelligent Memory
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Intelligent Memory | |
| Minnesstorlek | 128MB | |
| Produkttyp | SDRAM | |
| Organisation | 8M x 16 | |
| Databussbredd | 16bit | |
| Maximal klockfrekvens | 200MHz | |
| Antal bitar per ord | 16 | |
| Maximal slumpmässig åtkomsttid | 5ns | |
| Antal ord | 8K | |
| Fästetyp | Yta | |
| Kapseltyp | FBGA | |
| Antal ben | 54 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 85°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q100, RoHS | |
| Bredd | 8 mm | |
| Maximal matningsspänning | 3.6V | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100 | |
| Minsta matningsspänning | 3V | |
| Matningsström | 65mA | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Intelligent Memory | ||
Minnesstorlek 128MB | ||
Produkttyp SDRAM | ||
Organisation 8M x 16 | ||
Databussbredd 16bit | ||
Maximal klockfrekvens 200MHz | ||
Antal bitar per ord 16 | ||
Maximal slumpmässig åtkomsttid 5ns | ||
Antal ord 8K | ||
Fästetyp Yta | ||
Kapseltyp FBGA | ||
Antal ben 54 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 85°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q100, RoHS | ||
Bredd 8 mm | ||
Maximal matningsspänning 3.6V | ||
Fordonsstandard AEC-Q100 | ||
Minsta matningsspänning 3V | ||
Matningsström 65mA | ||
- COO (ursprungsland):
- TW
The Intelligent Memory Four bank Synchronous DRAM organized as 4 banks x 2Mbit x 16 . it achieves high speed data transfer rates up to 200 MHz by employing a chip architecture that prefetches multiple bits and then synchronizes the output data to a system clock.
Multiple burst read with single write operation
Automatic and controlled precharge command
Power down mode
Auto refresh and self refresh
Relaterade länkar
- Intelligent Memory IM1216SDBATG-6I 166MHz, 54-Pin FBGA
- Intelligent Memory IM5116SDBBBG-6I 166MHz, 54-Pin FBGA
- Intelligent Memory IM6416SDBABG-6I 166MHz, 54-Pin FBGA
- Intelligent Memory IM2516SDBDBG-6I 166MHz, 54-Pin FBGA
- Intelligent Memory IM6416SDBATG-6I 166MHz, 54-Pin FBGA
- Intelligent Memory IM2516SDBATG-6I 166MHz, 54-Pin FBGA
- Intelligent Memory IM6432SDBATG-6I 166MHz, 90-Pin FBGA
- Intelligent Memory IM6432SDBABG-6I 166MHz, 90-Pin FBGA