IXYS Type N-Channel MOSFET, 61 A, 500 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal 5 enheter (levereras i ett rör)*

1 596,55 kr

(exkl. moms)

1 995,70 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 37 enhet(er) från den 29 december 2025
  • Dessutom levereras 10 enhet(er) från den 30 september 2026
  • Dessutom levereras 20 enhet(er) från den 07 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
5 +319,31 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
194-568P
Tillv. art.nr:
IXFN64N50P
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

61A

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

85mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

150nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Power Dissipation Pd

700W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

38.23mm

Height

9.6mm

Width

25.42 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

30253377

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

relaterade länkar