IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 61 A 500 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal 5 enheter (levereras i ett rör)*

1 596,55 kr

(exkl. moms)

1 995,70 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 29 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 10 enhet(er) från den 03 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
5 +319,31 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
194-568P
Tillv. art.nr:
IXFN64N50P
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

61A

Maximal källspänning för dränering Vds

500V

Kapseltyp

SOT-227

Serie

HiperFET, Polar

Fästetyp

Panel

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

85mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

150nC

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal effektförlust Pd

700W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

9.6mm

Bredd

25.42 mm

Längd

38.23mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™-serie


N-kanaliga effekt-MOSFET:er med snabb inbyggd diod (HiPerFET™) från IXYS

MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS