N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA00DP-T1-GE3

RS-artikelnummer:: 919-4246
Tillv. art.nr:: SIRA00DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA00DP-T1-GE3

Price Var (i en rulle med 3000)**

9,533 kr

(exkl. moms)

11,916 kr

(inkl. moms)

45 I lager för avsändande samma dag*

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet	Per rulle**
3000 +	9,533 kr	28 599,00 kr

**vägledande pris

RS-artikelnummer:: 919-4246
Tillv. art.nr:: SIRA00DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	100 A
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Series	TrenchFET
Package Type	PowerPAK SO-8
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	1.35 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	1.1V
Maximum Power Dissipation	104 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-16 V, +20 V
Width	5.26mm
Number of Elements per Chip	1
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Length	6.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs	147 nC @ 10 V
Transistor Material	Si
Height	1.12mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIRA00DP-T1-GE3

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor