Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

38 913,00 kr

(exkl. moms)

48 642,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 10 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +12,971 kr38 913,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
178-3670
Tillv. art.nr:
SiDR392DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay Siliconix
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

900μΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

6 V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

125nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.99mm

Standards/Approvals

No

Height

1.07mm

Width

5 mm

Automotive Standard

No

RoHS-status: Undantagen

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer

Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss

relaterade länkar