Sök efter MPN

Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 70 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SiHG70N60EF-GE3

RS-artikelnummer:: 903-4475
Tillv. art.nr:: SiHG70N60EF-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 70 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SiHG70N60EF-GE3

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

143,92 kr

(exkl. moms)

179,90 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 13 april 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet
1 - 9	143,92 kr
10 - 24	136,98 kr
25 - 49	129,47 kr
50 - 99	115,36 kr
100 +	109,54 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 903-4475
Tillv. art.nr:: SiHG70N60EF-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	70A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-247
	Series	EF
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	38mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Maximum Power Dissipation Pd	520W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	253nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	15.87mm
	Height	20.82mm
	Width	5.31 mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Välj alla
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 70A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-247
	Series EF
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 38mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Maximum Power Dissipation Pd 520W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 253nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 15.87mm
	Height 20.82mm
	Width 5.31 mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor

Reduced Reverse Recovery Time, Reverse Recovery Charge, and Reverse Recovery Current

Low figure-of-merit (FOM)

Low input capacitance (Ciss)

Increased robustness due to low Reverse Recovery Charge

Ultra low gate charge (Qg)

Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 70 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SiHG70N60EF-GE3

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

relaterade länkar