Sök efter MPN

Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 33 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247

RS-artikelnummer:: 178-0893
Tillv. art.nr:: SIHG33N60EF-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 33 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 50 enheter)*

1 700,00 kr

(exkl. moms)

2 125,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

I lager

450 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per Rør*
50 - 50	34,00 kr	1 700,00 kr
100 +	32,30 kr	1 615,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 178-0893
Tillv. art.nr:: SIHG33N60EF-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	33A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-247
	Series	EF
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	98mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	103nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	278W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	15.87mm
	Width	5.31 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	20.82mm
	Automotive Standard	No

	Välj alla
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 33A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-247
	Series EF
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 98mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 103nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 278W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 15.87mm
	Width 5.31 mm
	Standards/Approvals No
	Height 20.82mm
	Automotive Standard No

SiHG33N60EF, EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode

COO (Country of Origin):: CN

N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor

Reduced Reverse Recovery Time, Reverse Recovery Charge, and Reverse Recovery Current

Low figure-of-merit (FOM)

Low input capacitance (Ciss)

Increased robustness due to low Reverse Recovery Charge

Ultra low gate charge (Qg)

Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 33 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

relaterade länkar