Toshiba 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 5 A 900 V Förbättring, 3 Ben, SC-67, 2SK
- RS-artikelnummer:
- 890-2695
- Tillv. art.nr:
- 2SK3565,S5Q(J
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
96,88 kr
(exkl. moms)
121,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 30 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 19,376 kr | 96,88 kr |
| 25 - 45 | 18,996 kr | 94,98 kr |
| 50 - 95 | 18,636 kr | 93,18 kr |
| 100 - 245 | 18,234 kr | 91,17 kr |
| 250 + | 17,876 kr | 89,38 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 890-2695
- Tillv. art.nr:
- 2SK3565,S5Q(J
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Toshiba | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 900V | |
| Kapseltyp | SC-67 | |
| Serie | 2SK | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 45W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 28nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.7V | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 15mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.5 mm | |
| Längd | 10mm | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Toshiba | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 900V | ||
Kapseltyp SC-67 | ||
Serie 2SK | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30 V | ||
Maximal effektförlust Pd 45W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 28nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.7V | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 15mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.5 mm | ||
Längd 10mm | ||
Antal element per chip 1 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
MOSFET N-Channel, 2SK Series, Toshiba
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterade länkar
- Toshiba 1 Typ N Kanal Enkel 3 A 900 V Förbättring SC-67, 2SK
- Toshiba 1 Typ N Kanal Enkel 6 A 800 V Förbättring SC-67, 2SK
- Toshiba Typ N Kanal 50 mA 20 V Förbättring USM, 2SK
- Toshiba Typ N Kanal 5 A 500 V Förbättring TO-220
- Toshiba Typ N Kanal 9 A 900 V Förbättring TO-3PN, TK
- Toshiba Typ N Kanal 100 mA 30 V Förbättring SC-75
- Toshiba Typ N Kanal 20 A 250 V Förbättring TO-220
- Toshiba Typ N Kanal 30.8 A 600 V Förbättring DFN
