Toshiba N Kanal, MOSFET, 50 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, USM, 2SK

För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
760-3114
Tillv. art.nr:
2SK1829(TE85L,F)
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Toshiba

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

50mA

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Serie

2SK

Kapseltyp

USM

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

40Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-10, +10V

Maximal effektförlust Pd

100mW

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

0.9mm

Längd

2mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

1.25mm

Fordonsstandard

Nej

MOSFET N-kanal, 2SK-serien, Toshiba


MOSFET-transistorer, Toshiba


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.