Sök efter MPN

DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 4.1 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMN6070SSD-13

RS-artikelnummer:: 827-0493
Tillv. art.nr:: DMN6070SSD-13
Tillverkare / varumärke:: DiodesZetex

DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 4.1 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMN6070SSD-13

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

52,06 kr

(exkl. moms)

65,08 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

I lager

60 enhet(er) är redo att levereras
Dessutom levereras 7 480 enhet(er) från den 05 januari 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
20 +	2,603 kr	52,06 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 827-0493
Tillv. art.nr:: DMN6070SSD-13
Tillverkare / varumärke:: DiodesZetex

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	DiodesZetex
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	4.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	100mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	1.5W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	0.75V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	5.6nC
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Transistor Configuration	Isolated
	Width	3.95 mm
	Height	1.5mm
	Standards/Approvals	J-STD-020, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202
	Length	4.95mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Välj alla
	Brand DiodesZetex
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 4.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 100mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 1.5W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 0.75V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.6nC
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Transistor Configuration Isolated
	Width 3.95 mm
	Height 1.5mm
	Standards/Approvals J-STD-020, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202
	Length 4.95mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 4.1 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMN6070SSD-13

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

relaterade länkar