Sök efter MPN

DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 6.6 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMN6040SSD-13

RS-artikelnummer:: 823-4018
Tillv. art.nr:: DMN6040SSD-13
Tillverkare / varumärke:: DiodesZetex

DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 6.6 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMN6040SSD-13

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

66,22 kr

(exkl. moms)

82,78 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

I lager

Dessutom levereras 300 enhet(er) från den 29 december 2025
Dessutom levereras 86 500 enhet(er) från den 05 januari 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
20 +	3,311 kr	66,22 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 823-4018
Tillv. art.nr:: DMN6040SSD-13
Tillverkare / varumärke:: DiodesZetex

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	DiodesZetex
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	6.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	55mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	0.7V
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	10.4nC
	Maximum Power Dissipation Pd	1.7W
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Transistor Configuration	Isolated
	Height	1.5mm
	Width	3.95 mm
	Standards/Approvals	MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101
	Length	4.95mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Välj alla
	Brand DiodesZetex
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 6.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 55mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 0.7V
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10.4nC
	Maximum Power Dissipation Pd 1.7W
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Transistor Configuration Isolated
	Height 1.5mm
	Width 3.95 mm
	Standards/Approvals MIL-STD-202, RoHS, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101
	Length 4.95mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 6.6 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMN6040SSD-13

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

relaterade länkar