Sök efter MPN

DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 7.5 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMG4800LSD-13

RS-artikelnummer:: 751-4109
Tillv. art.nr:: DMG4800LSD-13
Tillverkare / varumärke:: DiodesZetex

DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 7.5 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMG4800LSD-13

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

107,525 kr

(exkl. moms)

134,40 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

I lager

Dessutom levereras 20 575 enhet(er) från den 29 december 2025

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
25 +	4,301 kr	107,53 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 751-4109
Tillv. art.nr:: DMG4800LSD-13
Tillverkare / varumärke:: DiodesZetex

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	DiodesZetex
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	7.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	22mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	8.56nC
	Forward Voltage Vf	0.72V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.5W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25 V
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Height	1.5mm
	Length	4.95mm
	Standards/Approvals	UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020, MIL-STD-202
	Width	3.95 mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Välj alla
	Brand DiodesZetex
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 7.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.56nC
	Forward Voltage Vf 0.72V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.5W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Height 1.5mm
	Length 4.95mm
	Standards/Approvals UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020, MIL-STD-202
	Width 3.95 mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

COO (Country of Origin):: CN

DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 7.5 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMG4800LSD-13

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

relaterade länkar