Sök efter MPN

DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 4.4 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMN6066SSD-13

RS-artikelnummer:: 823-4012
Tillv. art.nr:: DMN6066SSD-13
Tillverkare / varumärke:: DiodesZetex

DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 4.4 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMN6066SSD-13

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

55,90 kr

(exkl. moms)

69,90 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

I lager

Dessutom levereras 390 enhet(er) från den 29 december 2025

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
10 +	5,59 kr	55,90 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 823-4012
Tillv. art.nr:: DMN6066SSD-13
Tillverkare / varumärke:: DiodesZetex

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	DiodesZetex
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	4.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	97mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	0.89V
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	2.14W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	5.4nC
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Transistor Configuration	Isolated
	Length	5mm
	Height	1.5mm
	Width	4 mm
	Standards/Approvals	MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Välj alla
	Brand DiodesZetex
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 4.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 97mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 0.89V
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 2.14W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.4nC
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Transistor Configuration Isolated
	Length 5mm
	Height 1.5mm
	Width 4 mm
	Standards/Approvals MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 4.4 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMN6066SSD-13

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

relaterade länkar