Infineon 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 3.6 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 826-8904
- Tillv. art.nr:
- IRF7380TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 20 enheter)*
166,22 kr
(exkl. moms)
207,78 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 080 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 8,311 kr | 166,22 kr |
| 100 - 180 | 6,485 kr | 129,70 kr |
| 200 - 480 | 6,071 kr | 121,42 kr |
| 500 - 980 | 5,651 kr | 113,02 kr |
| 1000 + | 5,236 kr | 104,72 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 826-8904
- Tillv. art.nr:
- IRF7380TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 73mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 15nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Längd | 5mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 73mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.5mm | ||
Längd 5mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon HEXFET Series MOSFET, 3.6A Maximum Continuous Drain Current, 2W Maximum Power Dissipation - IRF7380TRPBF
This MOSFET is designed for efficient power management in various electronic applications. With a high voltage rating and a continuous drain current of 3.6A, it is suitable for high frequency DC-DC converters, ensuring reliable performance. Its advanced design offers a practical solution for professionals in automation, electronics, and mechanical sectors seeking a versatile component for their circuits.
Features & Benefits
• Industry-standard SO-8 package ensures compatibility across different vendors
• Low Rds(on) of 73mΩ optimises efficiency in power applications
• Enhancement mode operation enhances performance characteristics
• Low gate charge of 15nC facilitates quicker switching speeds
• Maximum drain-source voltage of 80V accommodates high power needs
• RoHS compliant and halogen-free promotes environmental safety
Applications
• Used in high frequency DC-DC converters for power regulation
• Effective in battery management systems that require low power loss
• Suitable for motor controllers needing efficient switching performance
• Employed in power supply units to improve overall efficiency
• Appropriate for driving inductive loads like relays and solenoids
What are the implications of the maximum continuous drain current?
The maximum continuous drain current of 3.6A indicates its capability to manage higher currents in applications such as power supply circuits, ensuring stable operation without overheating.
How does the low Rds(on) affect performance?
The low Rds(on) of 73mΩ reduces power losses during operation, enhancing overall system efficiency, particularly beneficial in high frequency switching applications.
What is the significance of its temperature ratings?
Operating between -55°C and +150°C ensures the component can withstand harsh environmental conditions, making it suitable for industrial applications.
Can this component be directly mounted on PCBs?
Yes, its surface mount design allows for easy integration into PCB layouts, promoting efficient manufacturing processes and ensuring space-saving benefits in compact designs.
How does the gate threshold voltage influence its operation?
With a gate threshold voltage ranging from 2V to 4V, it provides design flexibility, allowing compatibility with various control signals while ensuring effective device activation.
Relaterade länkar
- Infineon 2 Typ N Kanal Isolerad 3.6 A 80 V Förbättring SOIC, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal -3.6 A -30 V Förbättring SOIC, HEXFET
- Infineon 2 Typ N Kanal Isolerad 4.9 A 30 V Förbättring SOIC, HEXFET
- Infineon 2 Typ P Kanal Isolerad 3.4 A 55 V Förbättring SOIC, HEXFET
- Infineon 2 Typ P Kanal Isolerad 4.9 A 30 V Förbättring SOIC, HEXFET
- Infineon 2 Typ N Kanal Isolerad 3 A 50 V Förbättring SOIC, HEXFET
- Infineon 2 Typ P Kanal Isolerad 2.3 A 20 V Förbättring SOIC, HEXFET
- Infineon 2 Typ P MOSFET 8 Ben HEXFET
