Infineon 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 4.9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

115,36 kr

(exkl. moms)

144,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 805,768 kr115,36 kr
100 - 1804,609 kr92,18 kr
200 - 4804,267 kr85,34 kr
500 - 9803,976 kr79,52 kr
1000 +3,691 kr73,82 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
826-8841
Tillv. art.nr:
IRF7303TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4.9A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SOIC

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

80mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Maximal effektförlust Pd

2W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

16.7nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Isolerad

Längd

5mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

4mm

Höjd

1.5mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 4,9 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 2 W maximal effektförlust - IRF7303TRPBF


Denna N-kanal MOSFET är utformad för effektiv strömhantering i olika elektroniska tillämpningar. Med en maximal kontinuerlig dräneringsström på 4,9 A och en dräneringskällspänning på 30 V ger den hög prestanda i olika miljöer. Dess ytmonteringsförmåga gör den lämplig för kompakta kretsdesigner där utrymmeseffektivitet och termisk prestanda är viktiga. Denna enhet visar tillförlitlighet och effektivitet inom automation och elektronik.

Funktioner & fördelar


• Förbättrad effektivitet med låg Rds(on) på 80 mΩ

• Hög effektförlustkapacitet med maximalt 2 W

• Tvåkanalig integrering för ökad funktionalitet i konstruktioner

• Robust termisk drift upp till +150 °C för mångsidiga tillämpningar

• Optimerad för drift i förstärkningsläge för att förbättra energihanteringen

• Kompakt SOIC-paket underlättar enkel integrering i moderna kretskort

Användningsområden


• Används i strömförsörjningskretsar för spänningsreglering

• Används i motorstyrningssystem för effektiv drift

• Lämplig för belysning kräver robust omkoppling

• Integrerad i konsumentelektronik för förbättrad energieffektivitet

• Idealisk för fordonssystem som kräver tillförlitlig prestanda

Vad är den maximala gate-källspänningen för denna enhet?


Den maximala gate-källspänningen är ±20 V, vilket säkerställer kompatibilitet med olika styrkretsar.

Hur påverkar Rds(on)-värdet effektiviteten?


En lägre Rds(on) minskar effektförluster under drift, vilket förbättrar den övergripande effektiviteten i applikationer.

Kan den arbeta i extrema temperaturer?


Ja, den fungerar inom ett temperaturområde på -55 °C till +150 °C, vilket är lämpligt för tuffa miljöer.

Vilken typ av kretskort är denna kompatibel med?


Den är utformad för kretskort med ytmonteringsteknik (SMT), vilket möjliggör effektiv utrymmesanvändning.

Hur ska man närma sig installationen av denna komponent?


Lämpliga lödtekniker bör användas för att undvika värmeskador och säkerställa en säker passform på kretskortet.

Relaterade länkar