Infineon 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 4.9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 826-8841
- Tillv. art.nr:
- IRF7303TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
115,36 kr
(exkl. moms)
144,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 80 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 1 100 enhet(er) från den 22 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 5,768 kr | 115,36 kr |
| 100 - 180 | 4,609 kr | 92,18 kr |
| 200 - 480 | 4,267 kr | 85,34 kr |
| 500 - 980 | 3,976 kr | 79,52 kr |
| 1000 + | 3,691 kr | 73,82 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 826-8841
- Tillv. art.nr:
- IRF7303TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4.9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 80mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 16.7nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4mm | |
| Längd | 5mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4.9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 80mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 16.7nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Höjd 1.5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4mm | ||
Längd 5mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon HEXFET-serien MOSFET, 4,9 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 2 W maximal effektförlust - IRF7303TRPBF
Denna N-kanal MOSFET är utformad för effektiv strömhantering i olika elektroniska tillämpningar. Med en maximal kontinuerlig dräneringsström på 4,9 A och en dräneringskällspänning på 30 V ger den hög prestanda i olika miljöer. Dess ytmonteringsförmåga gör den lämplig för kompakta kretsdesigner där utrymmeseffektivitet och termisk prestanda är viktiga. Denna enhet visar tillförlitlighet och effektivitet inom automation och elektronik.
Funktioner & fördelar
• Förbättrad effektivitet med låg Rds(on) på 80 mΩ
• Hög effektförlustkapacitet med maximalt 2 W
• Tvåkanalig integrering för ökad funktionalitet i konstruktioner
• Robust termisk drift upp till +150 °C för mångsidiga tillämpningar
• Optimerad för drift i förstärkningsläge för att förbättra energihanteringen
• Kompakt SOIC-paket underlättar enkel integrering i moderna kretskort
Användningsområden
• Används i strömförsörjningskretsar för spänningsreglering
• Används i motorstyrningssystem för effektiv drift
• Lämplig för belysning kräver robust omkoppling
• Integrerad i konsumentelektronik för förbättrad energieffektivitet
• Idealisk för fordonssystem som kräver tillförlitlig prestanda
Vad är den maximala gate-källspänningen för denna enhet?
Den maximala gate-källspänningen är ±20 V, vilket säkerställer kompatibilitet med olika styrkretsar.
Hur påverkar Rds(on)-värdet effektiviteten?
En lägre Rds(on) minskar effektförluster under drift, vilket förbättrar den övergripande effektiviteten i applikationer.
Kan den arbeta i extrema temperaturer?
Ja, den fungerar inom ett temperaturområde på -55 °C till +150 °C, vilket är lämpligt för tuffa miljöer.
Vilken typ av kretskort är denna kompatibel med?
Den är utformad för kretskort med ytmonteringsteknik (SMT), vilket möjliggör effektiv utrymmesanvändning.
Hur ska man närma sig installationen av denna komponent?
Lämpliga lödtekniker bör användas för att undvika värmeskador och säkerställa en säker passform på kretskortet.
Relaterade länkar
- Infineon 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 4.9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 4.9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 3.4 A 55 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 2.3 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 3.6 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 3 A 50 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 3.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 3.5 A 25 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET