Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -3.6 A -30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 262-6741
- Tillv. art.nr:
- IRF7606TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer att finnas i lager igen, den har utgått från tillverkaren.
- RS-artikelnummer:
- 262-6741
- Tillv. art.nr:
- IRF7606TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -3.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 150mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.8W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 20nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -3.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -30V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 150mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.8W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 20nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons effekt-MOSFET har låg gate-to-drain-laddning för att minska omkopplingsförluster. Den är lämplig för användning med högfrekventa DC-DC-omvandlare.
Helt karakteriserad avalanche-spänning och -ström
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -3.6 A -30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 3.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, HEXFET
- Infineon 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 3.6 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 15 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 16 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 10.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 5.4 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 6.2 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET