Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET, 20.5 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4124DY-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

153,66 kr

(exkl. moms)

192,08 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Håller på att utgå
  • Slutlig(a) 2 200 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 4015,366 kr153,66 kr
50 - 9014,437 kr144,37 kr
100 - 24013,059 kr130,59 kr
250 - 49012,298 kr122,98 kr
500 +11,536 kr115,36 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
812-3195
Tillv. art.nr:
SI4124DY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

20.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

TrenchFET

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.009Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Maximum Power Dissipation Pd

5.7W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21

Width

4 mm

Height

1.55mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar