Sök efter MPN

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 2.3 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP SI3993CDV-T1-GE3

RS-artikelnummer:: 812-3189
Tillv. art.nr:: SI3993CDV-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 2.3 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP SI3993CDV-T1-GE3

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

104,94 kr

(exkl. moms)

131,18 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

I lager

Dessutom levereras 1 560 enhet(er) från den 19 januari 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
20 - 180	5,247 kr	104,94 kr
200 - 480	3,875 kr	77,50 kr
500 - 980	3,259 kr	65,18 kr
1000 - 1980	2,89 kr	57,80 kr
2000 +	2,621 kr	52,42 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 812-3189
Tillv. art.nr:: SI3993CDV-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	2.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	TrenchFET
	Package Type	TSOP
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	188mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	5.2nC
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Maximum Power Dissipation Pd	1.4W
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Standards/Approvals	No
	Length	3.1mm
	Height	1mm
	Width	1.7 mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	Välj alla
	Brand Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 2.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series TrenchFET
	Package Type TSOP
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 188mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.2nC
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Maximum Power Dissipation Pd 1.4W
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Standards/Approvals No
	Length 3.1mm
	Height 1mm
	Width 1.7 mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 2.3 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP SI3993CDV-T1-GE3

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

relaterade länkar