Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 2.3 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 812-3189
- Tillv. art.nr:
- SI3993CDV-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 20 enheter)*
104,94 kr
(exkl. moms)
131,18 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 560 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 5,247 kr | 104,94 kr |
| 200 - 480 | 3,875 kr | 77,50 kr |
| 500 - 980 | 3,259 kr | 65,18 kr |
| 1000 - 1980 | 2,89 kr | 57,80 kr |
| 2000 + | 2,621 kr | 52,42 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 812-3189
- Tillv. art.nr:
- SI3993CDV-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | TSOP | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 188mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 5.2nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | 150°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.4W | |
| Maximal arbetstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1mm | |
| Längd | 3.1mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp TSOP | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 188mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 5.2nC | ||
Minsta arbetsstemperatur 150°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.4W | ||
Maximal arbetstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1mm | ||
Längd 3.1mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
MOSFET med dubbla P-kanaler, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad 2.3 A 30 V Förbättring TSOP, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad 6.5 A 40 V Förbättring SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad 3.8 A 20 V Förbättring ChipFET, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad 4 A 20 V Förbättring SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad 1.1 A 20 V Förbättring SC-88, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N Kanal Isolerad 7.5 A 30 V Förbättring SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P Effekt-MOSFET 6 Ben TrenchFET
- Vishay 2 Typ N Kanal Isolerad 20 A 40 V Förbättring SO-8, TrenchFET
