Vishay Si2367DS Type P-Channel Power MOSFET, 3.8 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2367DS-T1-GE3

Se alla MOSFETs

Antal (1 längd med 50 enheter)*

213,15 kr

(exkl. moms)

266,45 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 2 650 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per Längd*
50 +4,263 kr213,15 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
812-3136
Tillv. art.nr:
SI2367DS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

3.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

Si2367DS

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.066Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

1.7W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.02mm

Length

3.04mm

Standards/Approvals

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Width

1.4 mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar