Vishay Si2366DS Type N-Channel MOSFET, 5.8 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2366DS-T1-GE3

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

81,98 kr

(exkl. moms)

102,48 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 200 enhet(er) från den 05 januari 2026
  • Dessutom levereras 2 640 enhet(er) från den 12 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 +4,099 kr81,98 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
812-3132
Tillv. art.nr:
SI2366DS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

5.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

Si2366DS

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

42mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.4nC

Forward Voltage Vf

0.85V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2.1W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.4 mm

Height

1.02mm

Length

3.04mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar