Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 3.1 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET

RS-artikelnummer:: 180-7811
Tillv. art.nr:: SI2392ADS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 3.1 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

91,62 kr

(exkl. moms)

114,52 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Sista RS lager

Slutlig(a) 1 140 enhet(er), redo att levereras

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
20 - 180	4,581 kr	91,62 kr
200 - 480	3,439 kr	68,78 kr
500 - 980	2,979 kr	59,58 kr
1000 - 1980	2,755 kr	55,10 kr
2000 +	2,151 kr	43,02 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 180-7811
Tillv. art.nr:: SI2392ADS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	3.1A
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Kapseltyp	SOT-23
	Serie	TrenchFET
	Fästetyp	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	189mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20 V
	Maximal effektförlust Pd	1.6W
	Framåtriktad spänning Vf	-1.2V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	2.9nC
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	1.12mm
	Bredd	2.64 mm
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	3.04mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.1A
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Kapseltyp SOT-23
	Serie TrenchFET
	Fästetyp Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 189mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V
	Maximal effektförlust Pd 1.6W
	Framåtriktad spänning Vf -1.2V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.9nC
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 1.12mm
	Bredd 2.64 mm
	Standarder/godkännanden No
	Längd 3.04mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet

COO (ursprungsland):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source resistance of 126mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum gate-source voltage of 20V and drain-source voltage of 100V. The MOSFET has a minimum and a maximum driving voltage of 4.5V and 10V respectively. It has continuous drain current of 3.1A and maximum power dissipation of 2.5W. It has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• Boost converters

• DC/DC converters

• LED backlighting in LCD TVs

• Load switch

• Power management for mobile computing

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested

• UIS tested