IXYS Type N-Channel MOSFET, 72 A, 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN82N60P

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

505,85 kr

(exkl. moms)

632,31 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 99 enhet(er) från den 29 december 2025
  • Dessutom levereras 2 enhet(er) från den 29 december 2025
  • Dessutom levereras 116 enhet(er) från den 05 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 1505,85 kr
2 - 4490,78 kr
5 +480,59 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
194-130
Tillv. art.nr:
IXFN82N60P
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

72A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

75mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

240nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Power Dissipation Pd

1.04kW

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

25.07 mm

Length

38.2mm

Height

9.6mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

relaterade länkar