IXYS Type N-Channel MOSFET, 90 A, 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

481,28 kr

(exkl. moms)

601,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 79 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 1481,28 kr
2 - 4471,63 kr
5 +457,30 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
804-7596
Distrelec artikelnummer:
302-53-359
Tillv. art.nr:
IXFN110N60P3
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

90A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

56mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

245nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

1.5kW

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

9.6mm

Width

25.07 mm

Length

38.23mm

Standards/Approvals

No

Distrelec Product Id

30253359

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series


A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

relaterade länkar