N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 3-Pin D2PAK Vishay SIHB30N60E-GE3

RS-artikelnummer:: 768-9310
Tillv. art.nr:: SIHB30N60E-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 3-Pin D2PAK Vishay SIHB30N60E-GE3

Mängdrabatt möjlig

Price Varje**

60,00 kr

(exkl. moms)

75,00 kr

(inkl. moms)

71 I lager för avsändande samma dag*

32 Inom 1 arbetsdag(ar) (UK lager)

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet
1 - 9	60,00 kr
10 - 49	53,98 kr
50 - 99	47,95 kr
100 - 249	45,00 kr
250 +	41,93 kr

RS-artikelnummer:: 768-9310
Tillv. art.nr:: SIHB30N60E-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

SiHB30N60E, E Series Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	29 A
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Package Type	D2PAK (TO-263)
Series	E Series
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	125 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Power Dissipation	250 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Width	9.65mm
Transistor Material	Si
Number of Elements per Chip	1
Length	10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs	85 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	4.83mm

N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 3-Pin D2PAK Vishay SIHB30N60E-GE3

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

N-Channel MOSFET, E Series, Low Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor

Features