Vishay Si2309CDS Type P-Channel MOSFET, 1.2 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2309CDS-T1-GE3

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

42,34 kr

(exkl. moms)

52,92 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 150 enhet(er) från den 29 december 2025
  • Dessutom levereras 90 enhet(er) från den 29 december 2025
  • Dessutom levereras 13 770 enhet(er) från den 05 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +4,234 kr42,34 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
710-3250
Tillv. art.nr:
SI2309CDS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

1.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

Si2309CDS

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

345mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.7nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

1W

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.02mm

Length

3.04mm

Standards/Approvals

No

Width

1.4 mm

Automotive Standard

No

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar