Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 19 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, IRF9540S
- RS-artikelnummer:
- 650-4205
- Tillv. art.nr:
- IRF9540SPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
137,90 kr
(exkl. moms)
172,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 5 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 820 enhet(er) från den 03 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 27,58 kr | 137,90 kr |
| 25 - 45 | 24,85 kr | 124,25 kr |
| 50 - 120 | 23,718 kr | 118,59 kr |
| 125 - 245 | 22,064 kr | 110,32 kr |
| 250 + | 20,686 kr | 103,43 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 650-4205
- Tillv. art.nr:
- IRF9540SPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 19A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | IRF9540S | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 200mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 61nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 150W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -100V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 9.65 mm | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 19A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie IRF9540S | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 200mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 61nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 150W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Framåtriktad spänning Vf -100V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 9.65 mm | ||
Höjd 4.83mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
P-kanal MOSFET, 100V till 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal 19 A 100 V Förbättring TO-263, IRF9540S
- Infineon Typ P Kanal 19 A 55 V Förbättring TO-263, HEXFET
- Vishay Typ P Kanal 6.8 A 200 V Förbättring TO-263, IRF9640S
- Vishay Typ P Kanal 6.5 A 200 V Förbättring TO-263, IRF9630S
- Vishay Typ P Kanal 110 A 60 V Förbättring TO-263
- Vishay Typ P Kanal 4.7 A 60 V Förbättring TO-263, SiHF9Z14S
- Vishay Typ P Kanal 13 A 100 V Förbättring TO-263, SiHF9540S
- Vishay Typ P Kanal 4 A 200 V Förbättring TO-263, SiHF9630S
