Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 6.8 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, IRF9640S
- RS-artikelnummer:
- 815-2667
- Tillv. art.nr:
- IRF9640STRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
197,57 kr
(exkl. moms)
246,96 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 790 enhet(er) levereras från den 29 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 19,757 kr | 197,57 kr |
| 20 - 40 | 18,592 kr | 185,92 kr |
| 50 - 90 | 16,80 kr | 168,00 kr |
| 100 - 240 | 15,803 kr | 158,03 kr |
| 250 + | 14,829 kr | 148,29 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 815-2667
- Tillv. art.nr:
- IRF9640STRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Serie | IRF9640S | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 500mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 44nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Serie IRF9640S | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 500mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 44nC | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Framåtriktad spänning Vf -5V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 4.83mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
P-kanal MOSFET, 100V till 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal 6.8 A 200 V Förbättring TO-263, IRF9640S
- Vishay 1 Typ P Kanal Enkel 6.8 A 100 V, TO-263
- Infineon Typ P Kanal 80 A 40 V Förbättring TO-263, OptiMOS P AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal 6.8 A 100 V Förbättring TO-220, IRF
- Infineon Typ P Kanal 80 A 40 V Förbättring iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 120 A 40 V Förbättring iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 17 A 800 V Förbättring iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 180 A 40 V Förbättring iPB AEC-Q101
