Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 6.5 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, IRF9630S
- RS-artikelnummer:
- 178-0865
- Tillv. art.nr:
- IRF9630SPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 178-0865
- Tillv. art.nr:
- IRF9630SPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Serie | IRF9630S | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 800mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 29nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -6.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 3W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.67mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 9.02mm | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Serie IRF9630S | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 800mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 29nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -6.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 3W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.67mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 9.02mm | ||
Höjd 4.83mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
P-kanal MOSFET, 100 V till 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 6.5 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, IRF9630S
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 6.5 A 600 V P, 3 Ben, TO-263, IPA
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 19 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 19 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, IRF9540S
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 33 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 22 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, QFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 6.8 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, IRF9640S