Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 19 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 262-6744
- Distrelec artikelnummer:
- 304-41-670
- Tillv. art.nr:
- IRF9Z34NSTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
231,17 kr
(exkl. moms)
288,96 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 180 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 23,117 kr | 231,17 kr |
| 50 - 90 | 21,974 kr | 219,74 kr |
| 100 - 240 | 21,022 kr | 210,22 kr |
| 250 - 490 | 20,093 kr | 200,93 kr |
| 500 + | 18,704 kr | 187,04 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 262-6744
- Distrelec artikelnummer:
- 304-41-670
- Tillv. art.nr:
- IRF9Z34NSTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 19A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 19A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons Power MOSFET utnyttjar de senaste bearbetningsteknikerna för att uppnå extremt lågt on-motstånd per kiselarea. Den här konstruktionen har egenskaper som driftstemperatur på 175°C och snabb omkopplingshastighet.
Fullständigt lavinklassad
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 19 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 70 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 19 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -42 A -55 V, TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 210 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET