Vishay SIRS Type N-Channel MOSFET, 265 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS5800DP-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

86,69 kr

(exkl. moms)

108,362 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 16 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 4843,345 kr86,69 kr
50 - 9832,535 kr65,07 kr
100 - 24828,895 kr57,79 kr
250 - 99828,335 kr56,67 kr
1000 +27,89 kr55,78 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
279-9973
Tillv. art.nr:
SIRS5800DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

265A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

SO-8

Series

SIRS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0018Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

122nC

Maximum Power Dissipation Pd

240W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

5mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

relaterade länkar