Vishay SIRS Type N-Channel MOSFET, 225 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS5100DP-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

82,10 kr

(exkl. moms)

102,62 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 5 994 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 4841,05 kr82,10 kr
50 - 9830,80 kr61,60 kr
100 - 24827,33 kr54,66 kr
250 - 99826,77 kr53,54 kr
1000 +26,21 kr52,42 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
279-9971
Tillv. art.nr:
SIRS5100DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

225A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SIRS

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0025Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

240W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

102nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

relaterade länkar