Vishay SiR Type N-Channel MOSFET, 66.8 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR5808DP-T1-RE3

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

20 391,00 kr

(exkl. moms)

25 488,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 6 000 enhet(er) från den 30 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +6,797 kr20 391,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
279-9955
Tillv. art.nr:
SIR5808DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

66.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

SiR

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00735Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.15mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

relaterade länkar