Vishay SIRS Type P-Channel MOSFET, 198 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS4401DP-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

88,82 kr

(exkl. moms)

111,02 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 5 998 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 4844,41 kr88,82 kr
50 - 9843,625 kr87,25 kr
100 - 24839,76 kr79,52 kr
250 - 99839,09 kr78,18 kr
1000 +38,415 kr76,83 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
279-9967
Tillv. art.nr:
SIRS4401DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

198A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SO-8

Series

SIRS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0022Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

588nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

132W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

New generation power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Ultra low RDS x Qg FOM product

Fully lead (Pb)-free device

relaterade länkar