Vishay N Kanal, MOSFET, 5 A 850 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SIHB

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
268-8295
Tillv. art.nr:
SIHB6N80AE-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

5A

Maximal källspänning för dränering Vds

850V

Serie

SIHB

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

0.95Ω

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Maximal effektförlust Pd

62.5W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

10.67mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
Effekt-MOSFET i Vishay E-serien har låga omkopplings- och ledningsförluster, den används i tillämpningar som switchade nätaggregat, servernätaggregat och nätaggregat för effektfaktorkorrigering. Den har integrerad zenerdiod för ESD-skydd.

Låg effektiv kapacitans

Klassad för avalancheenergi

Låg meritfaktor

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.