Vishay SIA Type N-Channel MOSFET, 31 A, 40 V Enhancement, 7-Pin SC-70 SIA4446DJ-T1-GE3

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

71,34 kr

(exkl. moms)

89,18 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 5 970 enhet(er) från den 31 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 407,134 kr71,34 kr
50 - 905,354 kr53,54 kr
100 - 2404,749 kr47,49 kr
250 - 9904,659 kr46,59 kr
1000 +4,581 kr45,81 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
279-9902
Tillv. art.nr:
SIA4446DJ-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

31A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

SIA

Package Type

SC-70

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.011Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±16 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

19.2W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

2.05mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

relaterade länkar