Vishay SIA Type N-Channel MOSFET, 8.8 A, 100 V Enhancement, 7-Pin SC-70-6L SIA112LDJ-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

72,69 kr

(exkl. moms)

90,86 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 6 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 407,269 kr72,69 kr
50 - 905,432 kr54,32 kr
100 - 2404,827 kr48,27 kr
250 - 9904,704 kr47,04 kr
1000 +4,614 kr46,14 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
279-9900
Tillv. art.nr:
SIA112LDJ-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

8.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SC-70-6L

Series

SIA

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.119Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.4nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

15.6W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

2.05mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

relaterade länkar